申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司

申请日：2023-08-11

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220710285U

主分类号：H01L21/683

分类号：H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型提供了一种真空平台治具和真空吸附装置，涉及半导体封装技术领域，该真空平台治具包括平台底座和轨道基座，平台底座上设置有第一轨道槽，第一轨道槽的底侧设置有第一真空吸附孔，平台底座上还设置有第二真空吸附孔，第二真空吸附孔贯穿至平台底座的底侧表面，轨道基座可拆卸地安装在平台底座上，并设置有第二轨道槽，第二轨道槽贯穿至平台底座外，且轨道基座的底侧设置有第三真空吸附孔，第三真空吸附孔与第二真空吸附孔对应接合。相较于现有技术，本实用新型通过设置第一轨道槽和第二轨道槽，能够实现不同尺寸的基板的入料吸附，并且无需更换平台，也无需进行矫正调整，真空吸附效率更高，实现了多尺寸的基板吸附。

主权项：1.一种真空平台治具，其特征在于，包括平台底座和轨道基座，所述平台底座上设置有第一轨道槽，所述第一轨道槽贯通至所述平台底座的两侧的侧壁，所述第一轨道槽的底侧设置有第一真空吸附孔，所述第一真空吸附孔用于吸附伸入所述第一轨道槽中的第一基板，所述平台底座上还设置有第二真空吸附孔，所述轨道基座可拆卸地安装在所述平台底座上，并设置有第二轨道槽，所述第二轨道槽贯穿至所述平台底座外，且所述轨道基座的底侧设置有第三真空吸附孔，所述第三真空吸附孔贯通至所述第二轨道槽，并与所述第二真空吸附孔对应接合，用于吸附贴附伸入所述第二轨道槽中的第二基板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 甬矽半导体(宁波)有限公司 真空平台治具和真空吸附装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD