申请/专利权人：LG伊诺特有限公司

申请日：2022-07-12

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813943A

主分类号：H10N10/817

分类号：H10N10/817;H10N10/17

优先权：["20210712 KR 10-2021-0090956"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：根据本发明的实施方式的热电元件包括：第一基板；设置在第一基板上的绝缘层；设置在绝缘层上的第一电极；设置在第一电极上的接合层；设置在接合层上的半导体结构；设置在半导体结构上的第二电极；以及设置在第二电极上的第二基板，其中，绝缘层的上表面包括与第一电极垂直交叠的第一凹面，接合层包括与第一凹面和半导体结构垂直交叠的第一区域，以及与第一凹面垂直交叠并且不与半导体结构垂直交叠的第二区域，并且第一区域的空隙密度小于第二区域的空隙密度。

主权项：1.一种热电元件，包括：第一基板；设置在所述第一基板上的绝缘层；设置在所述绝缘层上的第一电极；设置在所述第一电极上的接合层；设置在所述接合层上的半导体结构；设置在所述半导体结构上的第二电极；以及形成在所述第二电极上的第二基板，其中，所述绝缘层的上表面包括与所述第一电极垂直交叠的第一凹面，所述接合层包括与所述第一凹面和所述半导体结构垂直交叠的第一区域，以及与所述第一凹面垂直交叠并且不与所述半导体结构垂直交叠的第二区域，并且所述第一区域的空隙密度小于所述第二区域的空隙密度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： LG伊诺特有限公司 热电元件

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