申请/专利权人：阿落斯半导体有限公司

申请日：2023-10-07

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810321A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/12;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06

优先权：["20220930 EP 22199219.1"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及包括应变解耦子堆叠体的硅上氮化镓外延晶片。具体地，本发明涉及一种形成层堆叠体的硅上氮化镓外延晶片，所述层堆叠体沿堆叠方向包括：‑在垂直于堆叠方向的至少一个方向上具有150mm以上的直径的衬底，以及至少部分由硅形成的面向堆叠方向的衬底表面，‑应变‑解耦层，其包括‑直接布置在所述衬底上的自组织模板层，‑表面恢复层，所述表面恢复层布置在所述自组织模板层上并且包括GaN，所述表面恢复层具有沿所述堆叠方向指向的基本上平滑的表面，以及‑应变工程子堆叠体。

主权项：1.一种形成层堆叠体的硅上氮化镓外延晶片，所述层堆叠体沿堆叠方向包括：-在垂直于堆叠方向的至少一个方向上具有150mm以上，优选150mm至450mm的直径的衬底，以及沿着堆叠方向的至少部分由硅形成的衬底表面，-应变-解耦子堆叠体，其包括-直接布置在所述衬底上的自组织模板层，所述自组织模板层包括凹坑，所述凹坑具有1×107cm-2至1×1011cm-2的凹坑密度，和-直接布置在所述自组织模板层上并包含GaN的表面恢复层，所述表面恢复层具有沿所述堆叠方向指向的基本上平滑的表面，和-应变工程子堆叠体，其布置在所述表面恢复层上并且包括至少一个GaN层和至少一个AlxGa1-xN中间层，其中x≥0.5，所述GaN层具有0.5μm至4.0μm的厚度，所述AlxGa1-xN中间层具有5nm至25nm的厚度，其中-所述硅上氮化镓外延晶片在室温下具有至多100μm的弯曲。

全文数据：

权利要求：

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