申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809928A

主分类号：H01F6/06

分类号：H01F6/06;H01F41/04;G06F17/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种高均匀性脉冲磁体及优化方法，脉冲磁体包括螺线管磁体线圈、分裂间隙垫块和加固层；螺线管磁体线圈包括多层同轴绕制的第一部分和绕制在分裂间隙垫块上的第二部分；第一部分与第二部分连续绕制，第一部分用于产生主脉冲强磁场，第二部分用于产生能够补偿主脉冲强磁场的空间不均匀性的部分脉冲强磁场；加固层为多层且以同轴的方式缠绕在每一层的第一部分和第二部分外部，分裂间隙垫块同轴设置在第j‑1层和第j层的加固层上，分裂间隙垫块设置有单匝过渡导线凹槽，导线凹槽用于绕制第二部分，填补分裂间隙垫块空缺并提供轴向支撑。本发明利用连续两层分裂导体结构来降低脉冲磁体中平面附近的平均电流密度，从而改善脉冲高场磁体的均匀性。

主权项：1.一种高均匀性脉冲磁体，其特征在于，包括：螺线管磁体线圈、分裂间隙垫块和加固层；所述螺线管磁体线圈包括：多层同轴绕制的第一部分和绕制在所述分裂间隙垫块上的第二部分；所述第一部分与所述第二部分连续绕制，且第一部分用于产生主脉冲强磁场，所述主脉冲强磁场带有较大的空间不均匀性；所述第二部分用于产生能够补偿所述主脉冲强磁场的空间不均匀性的部分脉冲强磁场；所述加固层为多层且以同轴的方式缠绕在每一层的所述第一部分和所述第二部分外部，用于降低导线应力，提高脉冲磁场强度；所述分裂间隙垫块同轴设置在第j-1和第j层的加固层上，所述分裂间隙垫块设置有单匝过渡导线凹槽，所述导线凹槽用于绕制所述第二部分，填补所述分裂间隙垫块空缺并提供轴向支撑；所述分裂间隙层为第j层和第j+1层，j为奇数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种高均匀性脉冲磁体及优化方法

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