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【发明公布】一种静电卡盘上晶片状态的检测方法、电路、设备、介质_北京北方华创微电子装备有限公司_202211214578.8 

申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

申请日:2022-09-30

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117855069A

主分类号:H01L21/66

分类号:H01L21/66;H01L21/683

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本发明实施例提供了一种静电卡盘上晶片状态的检测方法、电路、电子设备、计算机可读存储介质,该方法包括:通过交变电源模块向静电卡盘的正电极和负电极提供交变电源,以使静电卡盘处于被检测状态,根据测得的正电极处和负电极处的电参数、交变电源模块和滤波电路的电参数,确定正电极和负电极处的负载电容值,根据正电极处和负电极处的负载电容值,确定静电卡盘上的晶片状态。本发明可以根据测得的正电极处和负电极处的负载电容值大小判断出晶片的状态,在了解晶片状态的前提下,将有助于提高晶片传输过程中的安全性,避免撞片;本发明不需要人工开腔就可以获取晶片的状态,减少了人力的支出,避免开腔需要停止工艺进程,提高了工作效率。

主权项:1.一种静电卡盘上晶片状态的检测方法,其特征在于,所述方法包括:通过交变电源模块向静电卡盘的正电极和负电极提供交变电压,以使所述静电卡盘处于被检测状态,其中,所述静电卡盘与所述交变电源模块之间串联有滤波电路;根据测得的所述正电极处和所述负电极处的电参数、以及所述交变电源模块和所述滤波电路的电参数,确定所述正电极处和所述负电极处的负载电容值;根据所述正电极处和负电极处的负载电容值,确定所述静电卡盘上的晶片状态。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京北方华创微电子装备有限公司 一种静电卡盘上晶片状态的检测方法、电路、设备、介质

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