申请/专利权人：华灿光电(浙江)有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855349A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;B23K26/38;H01L21/78;H01L21/683

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：提供了一种划裂方法，属于半导体制造领域。该方法包括：在所述微型发光二极管芯片的一面贴附蓝膜；使用单焦点划片机台对所述微型发光二极管芯片的另一面进行划片处理，在所述划片处理过程中，控制所述单焦点划片机台中激光源的功率以及激光照射到所述微型发光二极管芯片上的焦距深度，使所述激光照射到所述微型发光二极管芯片上的线条波动范围为‑1μm至1μm，所述微型发光二极管芯片对应的芯粒的斜裂角为80°至90°；采用劈刀角度为55至65°的劈刀对划片后的所述微型发光二极管芯片进行裂片。

主权项：1.一种划裂方法，其特征在于，所述方法适用于微型发光二极管芯片，所述方法包括：在所述微型发光二极管芯片的一面贴附蓝膜；使用单焦点划片机台对所述微型发光二极管芯片的另一面进行划片处理，在所述划片处理过程中，控制所述单焦点划片机台中激光源的功率以及激光照射到所述微型发光二极管芯片上的焦距深度，使所述激光照射到所述微型发光二极管芯片上的线条波动范围为-1μm至1μm，所述微型发光二极管芯片对应的芯粒的斜裂角为80°至90°；采用劈刀角度为55至65°的劈刀对划片后的所述微型发光二极管芯片进行裂片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华灿光电(浙江)有限公司 划裂方法

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