申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855053A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了多层LTCC基板堆积孔鼓凸控制工艺方法，涉及多层低温共烧陶瓷基板的制作工艺方法领域，包括：步骤S1：设计填孔网板，在有堆积孔的区域控制网板通孔大小；步骤S2：采用所述网板完成LTCC基板各层生瓷片的印刷填孔；步骤S3：对各层生瓷片进行制压整平；本发明，无需填孔后人工刮除多余填孔浆料，就可实现堆积通孔烧结后鼓凸高度在基板平面±15μm的要求，满足基板上芯片银浆粘接要求，还解决了多层低温共烧陶瓷基板堆积通孔鼓凸过高影响芯片银浆粘接的问题。

主权项：1.多层LTCC基板堆积孔鼓凸控制工艺方法，其特征在于，包括：步骤S1：设计填孔网板，在有堆积孔的区域控制网板通孔大小；步骤S2：采用所述网板完成LTCC基板各层生瓷片的印刷填孔；步骤S3：对各层生瓷片进行制压整平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十研究所 多层LTCC基板堆积孔鼓凸控制工艺方法

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