申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-07-20

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894775A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/768;H10B12/00

优先权：["20221014 US 18/046,650"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本申请涉及TSV‑凸块结构、半导体装置及其形成方法。根据本公开的一或多个实施例，提供一种穿硅通路TSV‑凸块结构。所述TSV‑凸块结构包括半导体衬底中的TSV及所述TSV上的凸块。所述凸块包含导电插塞部分及所述导电插塞部分下方的台阶结构部分。所述台阶结构经配置以将所述TSV与所述导电插塞部分彼此电耦合。

主权项：1.一种穿硅通路TSV-凸块结构，其包括：TSV，其在半导体衬底中；及凸块，其在所述TSV上，其中所述凸块包含导电插塞部分及所述导电插塞部分下方的台阶结构部分，且所述台阶结构部分经配置以将所述TSV与所述导电插塞部分彼此电耦合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 TSV-凸块结构、半导体装置及其形成方法

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