申请/专利权人：深圳技术大学

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117856038A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种长波长面发射激光器及其制作方法，包括：由下及上依次设置的InP衬底层、InP缓冲层、N型接触层、N‑DBR、N间隔层、多结级联有源区、P间隔层、掩埋隧道结、InP填平层、混合介质镜、P型接触层；其中，N‑DBR固接在InP缓冲层的顶端，N型接触层环绕N‑DBR设置；多结级联有源区通过N间隔层固接在N‑DBR的顶端；多结级联有源区的顶端为p间隔层，p间隔层的上边为InP填平层包围的掩埋隧道结；InP填平层的顶部为混合介质镜。本发明的长波长面发射激光器结构提高了激光器输出光束的单色性和热稳定性，提高器件的输出功率和转化效率，增强了器件的环境适应性，优化了激光器的性能。

主权项：1.一种长波长面发射激光器，其特征在于，包括：由下及上依次设置的InP衬底层、InP缓冲层、N型接触层、N-DBR、N间隔层、多结级联有源区、P间隔层、掩埋隧道结、InP填平层、混合介质镜、P型接触层；其中，所述N-DBR固接在所述InP缓冲层的顶端，所述N型接触层环绕N-DBR设置；所述多结级联有源区通过N间隔层固接在所述N-DBR的顶端；所述多结级联有源区的顶端为p间隔层，所述p间隔层的上边为InP填平层包围的掩埋隧道结；所述InP填平层的顶部为混合介质镜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳技术大学 一种长波长面发射激光器及其制作方法

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