申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022-09-30
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN117855034A
主分类号:H01L21/308
分类号:H01L21/308;H01L21/8234
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开
摘要:一种图形定义方法,包括:在所述第一区域的第一待刻蚀层上形成分立的第一核心层,所述第一核心层暴露出所述第二区域和间隙区域;在所述第一核心层的侧壁上形成第一侧墙;去除所述第一核心层,且保留第一侧墙;形成位于所述第二区域和间隙区域的第一待刻蚀层上的图形层;以所述第一侧墙和图形层为掩膜,图形化第一待刻蚀层,形成分立于所述第一区域和第二区域以及间隙区域上的第二核心层;在所述第二核心层的侧壁上形成第二侧墙;去除所述第二核心层,且保留第二侧墙;以所述第二侧墙为掩膜,图形化目标层以形成分立的目标图形。本发明实施例提高在第二区域边缘位置处和间隙位置处的目标图形的图形密度一致性和线宽一致性,还有利于节省面积。
主权项:1.一种图形定义方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括用于形成目标图形的目标层,目标图形沿横向延伸且沿纵向排列;所述基底包括第一区域和第二区域,所述第一区域和第二区域沿横向相邻接,且沿纵向,所述第二区域的边缘相对于第一区域的边缘还具有间隙区域;在所述基底上形成第一待刻蚀层;在所述第一区域的第一待刻蚀层上形成分立的第一核心层,且所述第一核心层暴露出所述第二区域和间隙区域;在所述第一核心层的侧壁上形成第一侧墙;去除所述第一核心层,且保留所述第一侧墙;形成位于所述第二区域和间隙区域的第一待刻蚀层上的图形层;以所述第一侧墙和图形层为掩膜,图形化第一待刻蚀层,形成分立于所述第一区域和第二区域以及间隙区域上的第二核心层;在所述第二核心层的侧壁上形成第二侧墙;去除所述第二核心层,且保留所述第二侧墙;以所述第二侧墙为掩膜,图形化目标层以形成分立的目标图形。
全文数据:
权利要求:
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