申请/专利权人：圣邦微电子(北京)股份有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117850524A

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本公开的实施例提供一种偏置电流生成电路及芯片。偏置电流生成电路包括：偏置电压产生电路、第一偏置电流产生电路与第二偏置电流产生电路。偏置电压产生电路被配置为生成第一偏置电压信号、第二偏置电压信号与第三偏置电压信号，并经由第一节点将所述第一偏置电压信号提供至所述第一偏置电流产生电路、经由第二节点将所述第二偏置电压信号提供至所述第二偏置电流产生电路以及经由第三节点将所述第三偏置电压信号提供至所述第二偏置电流产生电路；第一偏置电流产生电路被配置为根据所述第一偏置电压信号，产生PMOS偏置电流信号；第二偏置电流产生电路被配置为根据所述第二偏置电压信号与所述第三偏置电压信号，产生NMOS偏置电流信号。

主权项：1.一种偏置电流生成电路，其特征在于，包括：偏置电压产生电路、第一偏置电流产生电路与第二偏置电流产生电路，其中，所述偏置电压产生电路被配置为生成第一偏置电压信号、第二偏置电压信号与第三偏置电压信号，并经由第一节点将所述第一偏置电压信号提供至所述第一偏置电流产生电路、经由第二节点将所述第二偏置电压信号提供至所述第二偏置电流产生电路以及经由第三节点将所述第三偏置电压信号提供至所述第二偏置电流产生电路；所述第一偏置电流产生电路被配置为根据所述第一偏置电压信号，产生PMOS偏置电流信号；所述第二偏置电流产生电路被配置为根据所述第二偏置电压信号与所述第三偏置电压信号，产生NMOS偏置电流信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 圣邦微电子(北京)股份有限公司 偏置电流生成电路及芯片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD