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【发明公布】半圆缓冲区参数生成方法及装置、半圆缓冲区生成方法及装置_大庆安瑞达科技开发有限公司_202311804496.3 

申请/专利权人:大庆安瑞达科技开发有限公司

申请日:2023-12-26

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117853672A

主分类号:G06T17/05

分类号:G06T17/05;G06T19/20

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:半圆缓冲区参数生成方法及装置、半圆缓冲区生成方法及装置,涉及地理信息系统GIS和空间分析技术领域。针对现有技术中存在的,现有的生成圆形缓冲区的方法,在处理复杂地形和多边形缓冲区时存在一定的局限性,无法准确生成缓冲区,且在处理大规模数据时可能存在计算效率低下的问题,无法满足实时性要求的技术问题,本发明提供的技术方案为:半圆缓冲区参数生成方法,方法包括:采集预设三维场景的步骤;将所述三维场景的方位角转换为弧度制的步骤;计算所述三维场景中,预设起点和预设终点的半圆缓冲区的步骤。根据所述的半圆缓冲区参数生成方法,所述预设三维场景为Web前端的Gis三维场景,预设参数还包括方位角和长度。可以应用于安防系统中。

主权项:1.半圆缓冲区参数生成方法,其特征在于,所述方法包括:采集预设三维场景的步骤;将所述三维场景的方位角转换为弧度制的步骤;计算所述三维场景中,预设起点和预设终点的半圆缓冲区的步骤。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 大庆安瑞达科技开发有限公司 半圆缓冲区参数生成方法及装置、半圆缓冲区生成方法及装置

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