申请/专利权人：TAE技术公司

申请日：2022-04-01

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117859412A

主分类号：H05H6/00

分类号：H05H6/00

优先权：["20210402 US 63/170,108"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本文描述了钝化区域和装置配置。钝化区域可以配置为密封防止目标材料从下方区域扩散到钝化区域中和或扩散穿过钝化区域。钝化区域还可以配置为密封防止外部来源物质或环境物质扩散到钝化区域中和或穿过钝化区域朝下方区域扩散。

主权项：1.一种中子生成靶，其包含：基底；安置在基底上方的中子生成区域；和安置在中子生成区域上方的钝化区域，其中所述中子生成区域包含配置为生成中子的目标材料，并且所述钝化区域配置为密封防止目标材料扩散到钝化区域中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TAE技术公司 用于保护目标材料的材料和配置

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