申请/专利权人：东睦新材料集团股份有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858612A

主分类号：H10N50/20

分类号：H10N50/20;H10N50/10;H10N50/80

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：一种基于径向磁涡旋的自旋纳米振荡器，包括从上至下依次层叠设置的电极、重金属层、自由层、间隔层、钉扎层和衬底，其中衬底为硅衬底，电极、重金属层、自由层、间隔层、钉扎层和衬底之间分别采用磁控溅射、真空蒸镀或分子束外延方式结合固定，在自由层的上端面中心区域成型有中心区域低两边高、能够限制径向磁涡旋进动的势垒结构，以此实现提高输出信号频率和调节信号频率的功能。本发明的自旋纳米振荡器尺寸小、功耗低、易于生产，同时在大电流密度下工作稳定，克服了传统自旋纳米振荡器中涡旋核易在边界处发生湮灭的缺点，提高了实用性和稳定性，还具有提高输出信号频率和调节信号频率的功能，可应用于高频化、小型化的集成电子电路中，具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种基于径向磁涡旋的自旋纳米振荡器，其特征在于：包括从上至下依次层叠设置的电极、重金属层、自由层、间隔层、钉扎层和衬底，其中衬底为硅衬底，电极、重金属层、自由层、间隔层、钉扎层和衬底之间分别采用磁控溅射、真空蒸镀或分子束外延方式结合固定，在自由层的上端面中心区域成型有中心区域低两边高、能够限制径向磁涡旋进动的的势垒结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东睦新材料集团股份有限公司 一种基于径向磁涡旋的自旋纳米振荡器

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