申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117895332A

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间和或有源层与上波导层之间设置有自旋极化空穴隧穿层，自旋极化空穴隧穿层为Cr2O3@LuFeO3，CrI3@LuFe2O4、Co4Nb2O9@Co4Ta2O9、CoFe2O4@SrTiO3、LaCuMnO3@CaRuTiO3的任意一种或任意组合的三维量子点结构，自旋极化空穴隧穿层通过层间交换耦合和梯状磁滞回归线形成电流诱导自旋传输矩，从而增强激光元件受激辐射效率和峰值增益均匀性，降低激光元件的激发阈值，提升光功率和斜率效率。

主权项：1.一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其特征在于：上波导层与电子阻挡层之间和或有源层与上波导层之间设置有自旋极化空穴隧穿层，自旋极化空穴隧穿层通过层间交换耦合和梯状磁滞回归线从而形成电流诱导自旋传输矩。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件

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