申请/专利权人：江西省科学院能源研究所

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117645622B

主分类号：C07F5/00

分类号：C07F5/00;H10K30/50;H10K30/40;H10K30/86;H10K71/00;H10K71/12;H10K85/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法，本发明在室温下将一定量的CeTFSI3和tBP混合溶于乙腈然后蒸干溶剂以制备CetBPmTFSI3铈基配合物空穴掺杂剂，将CetBPmTFSI3铈基配合物空穴掺杂剂与Spiro‑OMeTAD共混溶于氯苯得到CeTFSI3间接掺杂的Spiro‑OMeTAD氯苯溶液，旋涂制作n‑i‑p结构钙钛矿太阳能电池的空穴传输层。本发明可解决钙钛矿太阳能电池空穴传输层中CeTFSI3吸湿、Ce3+向钙钛矿层迁移扩散、tBP挥发等负面问题，极大提高钙钛矿太阳能电池寿命。

主权项：1.一种铈基配合物空穴掺杂剂制备方法，其特征在于，在室温下将CeTFSI3和tBP混合溶于乙腈然后蒸干溶剂以制备CetBP3TFSI3铈基配合物空穴掺杂剂，所述tBP与CeTFSI3的摩尔比为5:1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西省科学院能源研究所 一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD