申请/专利权人：深圳先进技术研究院

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894881A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明通过电离氩气产生高能Ar等离子体，轰击CIGS靶材，在预先制备好的衬底上制备CIGS薄膜，通过调节CIGS靶材中铜的含量，实现对CIGS中空穴浓度的可控调节。本发明采用磁控溅射法制备的CIGS薄膜成分均匀、表面光滑，且由于所使用靶材中铜的含量不同，吸收层整体空穴浓度得以调节，进一步提高了CIGS电池的开路电压和填充因子，有效地提高了电池的性能参数，更大程度的提升电池的光电转化效率。

主权项：1.一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜空穴浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）取干净衬底，采用直流溅射法，获得Mo薄膜背电极；（2）置于样品架上，送入高真空腔体内，加热处理；（3）向腔体内充入惰性气体，开启中频电源产生外加电场，取第一靶材进行预溅射；（4）开启样品架传动装置，调节样品走速，生长获得均匀的第一层CIGS预制层；（5）取第二靶材，进行第一次溅射处理，获得CIGS中间层；（6）取第三靶材，进行第二次溅射处理，获得CIGS表层薄膜；（7）溅射结束后，将表面改性处理后的CIGS薄膜取出，封装；所述第一靶材、第二靶材和第三靶材的组分均不相同；所述预溅射、第一次溅射和第二次溅射所用的功率不相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳先进技术研究院 一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法

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