申请/专利权人：天津理工大学

申请日：2022-10-08

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117887042A

主分类号：C08G61/12

分类号：C08G61/12;H10K85/10;H10K30/86;H10K30/50

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及钙钛矿光伏技术领域，公开了一种平面共轭聚合物类的空穴传输材料及其制备方法和应用，该空穴传输材料的化学结构式为：本发明的一种D‑A型共轭聚合物类空穴传输材料具有良好的空穴迁移率和成膜性，可以应用于钙钛矿太阳能电池的免掺杂，抑制空穴分子间聚集和减缓电池界面电子复合能力更强，同时具有较高的光热稳定性能；此外，该空穴传输材料制备方法简单，产率高，制备成本低，是一种性能优良的空穴传输材料，以其作为空穴传输层应用到钙钛矿太阳能电池中，能够获得免掺杂超过16.89％的光电转化效率。

主权项：1.一种平面共轭聚合物类的空穴传输材料及其制备方法和应用，其特征在于：此聚合物与常用螺二芴Spiro相比，具有较低的成本，更高的空穴迁移率，将其应用于钙钛矿太阳能电池中，得到高的光电转换效率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津理工大学 一种平面共轭聚合物类的空穴传输材料及其制备方法和应用

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