申请/专利权人：东南大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832273A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种低隧穿泄漏电流的功率器件及其制造方法。器件包括衬底及其上第一导电类型漂移区；位于漂移区上方的沟槽，漂移区及上方设有沟槽，且沟槽两侧设有异质材料区，异质材料区下方设有第二导电类型耐压区域，耐压区与沟槽间以漂移区隔开，沟槽内设有栅电极，栅电极下方设有对称分布的埋层电极，沟槽、栅电极、埋层电极间分别以介质层隔离，异质材料区上方设有源电极，其与沟槽内栅电极间以介质层隔开；衬底下方设有漏电极。本发明的优势在于，器件通过隧穿原理导通，有效降低导通电阻并避免了由寄生三极管引起的闩锁效应。埋层电极的引入降低了反向阻断时隧穿点电场强度，进而降低反向漏电流。同时对器件开关速度也有提升。

主权项：1.一种低隧穿泄漏电流的功率器件，其特征在于，包括第一导电类型半导体衬底1，在第一导电类型半导体衬底1的下表面设有漏电极10，在第一导电类型半导体衬底1的上表面设有漂移区2；在漂移区2上方设有沟槽8，在沟槽8内部设有栅极7和埋层电极9，栅极7位于埋层电极9上方且通过第三介质区域13隔开；埋层电极9与沟槽8的侧壁之间填充有第二介质区域12；栅极7与沟槽8的侧壁及上方两侧向外延伸处填充有栅介质区域11；沟槽8两侧漂移区2上方分别设有异质材料区4；异质材料区4上方分别与源电极5和栅介质区域11接触连接，源电极5位于整个功率器件顶部；栅极7与源电极5之间填充有第四介质区域6；异质材料区4下方接触连接耐压区3，耐压区3与沟槽8之间以漂移区2隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 一种低隧穿泄漏电流的功率器件及其制造方法

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