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【发明授权】自旋元件及储备池元件_TDK株式会社_202080001916.2 

申请/专利权人:TDK株式会社

申请日:2020-01-24

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN113632239B

主分类号:H01L29/82

分类号:H01L29/82;G06N3/063;H10N50/10

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要:本实施方式提供的自旋元件具备:配线20;层叠体10,其层叠于上述配线上,包含第一铁磁性层1;第一导电部30和第二导电部40,从层叠方向z俯视时,该第一导电部和第二导电部夹着上述第一铁磁性层;以及中间层50,其在上述第一导电部和上述配线之间与上述配线相接,构成上述中间层的第二元素相对于构成上述配线的第一元素的扩散系数比构成上述第一导电部的第三元素相对于上述第一元素的扩散系数小,或者,构成上述第一导电部的第三元素相对于构成上述配线的第二元素的扩散系数比上述第三元素相对于构成上述中间层的第一元素的扩散系数小。

主权项:1.一种自旋元件,其特征在于,具备:配线;层叠体,其层叠于所述配线上,包含第一铁磁性层;第一导电部和第二导电部,从层叠方向俯视时,所述第一导电部和所述第二导电部夹着所述第一铁磁性层;以及第一中间层,其在所述第一导电部和所述配线之间与所述配线相接,构成所述第一中间层的第二元素相对于构成所述配线的第一元素的扩散系数比构成所述第一导电部的第三元素相对于所述第一元素的扩散系数小,或者,所述第三元素相对于所述第二元素的扩散系数比所述第三元素相对于所述第一元素的扩散系数小,第一元素是构成配线的元素中比例最高的元素,且是选自Au、Hf、Mo、Pt、W、Ta中的任一个。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TDK株式会社 自旋元件及储备池元件

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