申请/专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院;华中科技大学

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849565A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiCMOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgsdt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，VdifdVgsdt增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFETS2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。

主权项：1.一种SiCMOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，其特征在于，利用电流传感器判断电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件处于导通状态时，触发在线监测程序；然后，通过给待测器件输入电容放电，测量栅极电压变化率，并使用比较器将其与参考值进行比较。；当栅极电容降低至设定的参考值时，比较器输出信号触发锁存器，将待测器件栅极电压锁存在参考值；最后，通过采样和记录栅极电压的数值，并与过去的数值进行比较，就可以判断栅极氧化物的健康状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东电网有限责任公司电力科学研究院;华中科技大学 SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法

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