申请/专利权人：济南大学

申请日：2023-11-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855322A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/109;H01L31/032

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用SiSiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在SiSiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将SiSiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从SiSiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。

主权项：1.基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，其特征在于：该制备方法的步骤包括：步骤一：采用SiSiO2作为材料生长的衬底并清洁衬底；步骤二：在SiSiO2衬底上制备Pd薄膜；步骤三：对步骤二中得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜；步骤四：将SiSiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2；步骤五：将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从SiSiO2衬底上剥离；步骤六：取出WSe2，利用去离子水进行清洗，然后将分离后的WSe2与衬底转移到PdSe2表面器件沟道上，加热烘干；再倒置在丙酮溶液中，去除表面的PMMA；干燥后进行退火处理，得到PdSe2WSe2异质结；步骤七：将制备好的PdSe2WSe2异质结通过电子束蒸镀的方式，利用掩模版的遮盖，在材料表面蒸镀5nmAu50nmTi电极，与底部的Si衬底分别形成源极、漏极和栅极，最终得到阵列化的PdSe2WSe2器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 济南大学 基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法

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