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【发明公布】存储器装置、错误位元侦测器及其错误位元侦测方法_旺宏电子股份有限公司_202211265312.6 

申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司

申请日:2022-10-17

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117851109A

主分类号:G06F11/10

分类号:G06F11/10;G11C29/52

优先权:["20221005 US 17/960,149"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本公开提供了一种存储器装置、错误位元侦测器及其错误位元侦测方法,该错误位元侦测器包括电流产生器、电流镜以及比较器。电流产生器根据参考数码以产生第一电流。电流镜通过镜射第一电流以在电流镜的第二端产生第二电流。比较器比较第一输入端上的第一电压与第二输入端上的第二电压以产生侦测结果。

主权项:1.一种错误位元侦测器,其特征在于,包括:一电流产生器,根据一参考数码以产生一第一电流;一电流镜,具有第一端耦接至该电流产生器,该电流镜具有第二端耦接至一页缓冲器,该电流镜通过镜射该第一电流以在该电流镜的第二端产生一第二电流;以及一比较器,具有一第一输入端耦接至该电流镜的第一端,该比较器的一第二输入端耦接至该电流镜的第二端,该比较器比较该第一输入端上的一第一电压与该第二输入端上的一第二电压以产生一侦测结果。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 旺宏电子股份有限公司 存储器装置、错误位元侦测器及其错误位元侦测方法

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