申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117854551A

主分类号：G11C5/14

分类号：G11C5/14;G11C7/06

优先权：["20221005 KR 10-2022-0126828"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：公开了一种存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储块；读出放大器，所述读出放大器连接到所述多个存储块，并且被配置为响应于偏移补偿信号来执行偏移补偿操作；以及偏移时间调整电路，所述偏移时间调整电路连接到所述读出放大器，并且被配置为基于均衡电压节点处的电压与参考偏移电压的比较结果，调整所述偏移补偿操作的执行时间。

主权项：1.一种存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；读出放大器，所述读出放大器连接到所述多个存储块，并且被配置为响应于偏移补偿信号来执行偏移补偿操作；以及偏移时间调整电路，所述偏移时间调整电路连接到所述读出放大器，并且被配置为基于均衡电压节点处的电压与参考偏移电压的比较结果，调整所述偏移补偿操作的执行时间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 执行偏移补偿操作的存储器件

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