申请/专利权人：中国原子能科学研究院

申请日：2023-11-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858329A

主分类号：H05H13/00

分类号：H05H13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提出了一种可加速H+2和12C6+离子的高增益超导回旋加速器，包括分别安装在加速器下方两侧的双离子源系统、分别安装在加速器下方被双离子源系统共用的注入线传输系统；分别安装在加速器中心平面上下两侧磁极和磁极之间的用于给粒子加速的螺旋型高频腔系统、安装在加速器中心平面静电偏转板引出口的12C6+离子偏转板引出系统、以及安装在加速器中心平面剥离引出口的H+2剥离膜引出系统，本发明首次在同台回旋加速器上获得大能量范围内可连续调节的质子束与高能量12C6+离子束，实现一机三用；在国际上首次研制一种基于外部强流离子源注入、可加速H+2和12C6+离子的超导回旋加速器，可以不调节任何磁铁和高频等加速器主要技术参数，实现H+2和12C6+离子的等时性加速。

主权项：1.一种可加速H+2和12C6+离子的高增益超导回旋加速器，包括分别安装在加速器下方两侧的双离子源系统1、分别安装在加速器下方被双离子源系统1共用的注入线传输系统2；分别安装在加速器中心平面上下两侧磁极和磁极之间的用于给粒子加速的螺旋型高频腔3系统、安装在加速器中心平面静电偏转板引出口的12C6+离子偏转板引出系统4、以及安装在加速器中心平面剥离引出口的H+2剥离膜引出系统5，其特征在于：所述的螺旋型高频腔3系统使用四根内杆作为内导体、用以大幅提高引出区域的加速电压；所述的12C6+离子偏转板引出系统4设有双偏转板、布设双偏转板前的扰动线圈、布设在双偏转板后多个磁通道；该扰动线圈用于在粒子进入偏转板之前，产生一次谐波磁场使得碳离子的偏转半径增大；该双偏转板用以增加粒子偏转时的偏转力；该多个磁通道用以对偏转板偏转后的粒子增加聚焦力和进一步约束粒子轨迹；所述的H+2剥离膜引出系统5设有近似180度对称布设的双剥离靶、用于同时引出不同能量范围的质子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国原子能科学研究院 可加速H⁺₂和¹²C⁶⁺离子的高增益超导回旋加速器

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