申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-08-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111261771B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N52/00;H10N52/01;H10B61/00

优先权：["20181203 KR 10-2018-0153469"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2020.06.09#公开

摘要：半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩SOT线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。

主权项：1.一种半导体器件，包括：在衬底上的第一存储单元；和在所述衬底上并且邻近所述第一存储单元的第二存储单元，其中所述第一存储单元包括：第一参考层；第一存储层；在所述第一参考层和所述第一存储层之间的第一隧道层；和与所述第一存储层接触的第一自旋轨道转矩线，并且其中所述第二存储单元包括：第二参考层；第二存储层；在所述第二参考层和所述第二存储层之间的第二隧道层；邻近所述第二存储层的第二自旋轨道转矩线；和在所述第二存储层和所述第二自旋轨道转矩线之间的增强层，其中所述增强层在所述第二自旋轨道转矩线中，并且所述第二自旋轨道转矩线接触所述增强层的相反侧表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括自旋轨道转矩线的半导体器件

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