申请/专利权人：中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司

申请日：2022-07-14

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN115010360B

主分类号：C03B37/014

分类号：C03B37/014;C03B37/027

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开

摘要：本发明提供了一种光纤预制棒的制备方法、光纤预制棒及光纤。本发明的光纤预制棒的制备方法，包括：对种棒进行沉积处理，在种棒的外表面依次形成芯层、第一内包层、第二内包层以及第三内包层，得到粉末疏松体；对粉末疏松体依次进行脱羟处理以及玻璃化烧结，得到玻璃棒；对玻璃棒进行沉积处理，得到光纤预制棒；其中，第一内包层的粉末密度、第二内包层的粉末密度以及第三内包层的粉末密度依次降低；第一内包层的粉末密度、第二内包层的粉末密度以及第三内包层的粉末密度皆大于0.21gcm3。使用该方法得到的光纤预制棒能够形成兼具优异的抗弯曲性能、使用寿命，以及能够实现与G652光纤良好的对接且符合各种波段传输要求的光纤。

主权项：1.一种光纤预制棒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对种棒进行沉积处理，在所述种棒的外表面依次形成芯层、第一内包层、第二内包层以及第三内包层，得到粉末疏松体；对所述粉末疏松体依次进行脱羟处理以及玻璃化烧结，得到玻璃棒；对所述玻璃棒进行沉积处理，得到所述光纤预制棒；其中，所述第一内包层的粉末密度、所述第二内包层的粉末密度以及所述第三内包层的粉末密度依次降低；所述第一内包层的粉末密度为0.26～0.29gcm3；所述第二内包层的粉末密度为0.24～0.27gcm3；所述第三内包层的粉末密度为0.22～0.25gcm3；将芯层原料沉积在所述种棒的外表面，在所述种棒的外表面形成所述芯层；将第一内包层原料沉积在所述芯层的外表面，在所述芯层的外表面形成所述第一内包层；将第二内包层原料沉积在所述第一内包层的外表面，在所述第一内包层的外表面形成所述第二内包层；将第三内包层原料沉积在所述第二内包层的外表面，在所述第二内包层的外表面形成所述第三内包层；使用脱羟原料对所述粉末疏松体进行脱羟处理；使用玻璃化原料对经所述脱羟处理的所述粉末疏松体进行所述玻璃化烧结得到所述玻璃棒；所述芯层原料包括：四氯化硅、四氯化锗、氢气、氧气以及氩气；所述第一内包层原料、所述第二内包层原料以及所述第三内包层原料分别包括：四氯化硅、氢气、氧气以及氩气；所述脱羟原料包括：氯气、氦气以及氟化物；所述玻璃化原料包括：氦气以及氟化物；所述芯层的沉积过程中，所述四氯化硅的流量为2～5gmin，所述四氯化锗的流量为300～500mgmin，所述氢气的流量为7～9Lmin，所述氧气的流量为10～15Lmin，所述氩气的流量为5～10Lmin，温度为800～1000℃；所述第一内包层的沉积过程中，所述四氯化硅的流量为25～30gmin，所述氢气的流量为90～100Lmin，所述氧气的流量为45～50Lmin，所述氩气的流量为10～20Lmin，温度为1300～1400℃；所述第二内包层的沉积过程中，所述四氯化硅的流量为25～30gmin，所述氢气的流量为85～95Lmin，所述氧气的流量为40～45Lmin，所述氩气的流量为10～20Lmin，温度为1250～1350℃；所述第三内包层的沉积过程中，所述四氯化硅的流量为25～30gmin，所述氢气的流量为80～85Lmin，所述氧气的流量为35～40Lmin，所述氩气的流量为10～20Lmin，温度为1250～1350℃；所述脱羟处理的过程中，所述氯气的流量为500～1000ccmin，所述氦气的流量为15～25Lmin，所述氟化物的流量为200～500ccmin，所述脱羟处理的过程中，温度为1000-1100℃，压力为5-10Pa；所述玻璃化烧结的过程中，所述氦气的流量为15～25Lmin，所述氟化物的流量为100～500ccmin，温度为1350-1500℃，压力为10-15Pa。

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