申请/专利权人：西部数据技术公司

申请日：2020-06-01

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114730568B

主分类号：G11B5/31

分类号：G11B5/31;G11B5/39

优先权：["20200331 US 16/836,687"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开

摘要：在一个实施例中，一种写头包含主极。晶种层位于所述主极上方。自旋极化层SPL位于所述晶种层上方。间隔物层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述间隔物层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述后屏蔽物之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。在另一实施例中，一种写头包含主极。间隔物层位于所述主极上方。SPL位于所述间隔物层上方。罩盖层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述罩盖层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述主极之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。

主权项：1.一种写头，其包括：主极；晶种层，其位于所述主极上方；自旋极化层SPL，其位于所述晶种层上方；间隔物层，其位于所述SPL上方；以及后屏蔽物，其位于所述间隔物层上方，其中所述间隔物层在所述间隔物层与所述后屏蔽物之间形成第一接口，且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口，所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积，其中所述晶种层具有接近所述主极的跨轨道宽度，所述跨轨道宽度大于所述SPL的接近所述晶种层的跨轨道宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西部数据技术公司 具有窄自旋极化层的自旋电子装置

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