申请/专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司

申请日：2021-12-16

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114049905B

主分类号：G11C11/00

分类号：G11C11/00;G11C7/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.03.04#实质审查的生效;2022.02.15#公开

摘要：本申请的实施例公开了一种非易失三维存储单元、存储方法、芯片组件和电子设备。易失性存储芯片用于存储数据。接口芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片三维堆叠连接。非易失性存储芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片和接口芯片中至少之一三维堆叠连接，以形成非易失三维存储单元。其中，接口芯片包括通信协议电路，通信协议电路用于存储通信协议。数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式写入易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一；和，数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式从易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一被读取。通过上述设置，提高了数据的传输效率，增大了处理数据的带宽，并且提高了数据存储的可靠性。

主权项：1.一种非易失三维存储单元，其特征在于，包括：易失性存储芯片，所述易失性存储芯片用于存储数据；接口芯片，所述接口芯片通过三维异质集成结构与所述易失性存储芯片三维堆叠连接；非易失性存储芯片，所述非易失性存储芯片通过所述三维异质集成结构与所述易失性存储芯片和所述接口芯片中至少之一三维堆叠连接，以形成所述非易失三维存储单元；其中，所述接口芯片包括通信协议电路，所述通信协议电路用于存储通信协议；数据通过所述通信协议电路以缓存一致性的方式写入所述易失性存储芯片和所述非易失性存储芯片中至少之一；和，数据通过所述通信协议电路以所述缓存一致性的方式从所述易失性存储芯片和所述非易失性存储芯片至少之一中被读取；所述接口芯片还包括：逻辑电路，所述逻辑电路与所述通信协议电路电连接；数据通过所述通信协议电路和所述逻辑电路以所述缓存一致性的方式写入所述易失性存储芯片和所述非易失性存储芯片中至少之一，和，数据通过所述通信协议电路和所述逻辑电路以所述缓存一致性的方式从所述易失性存储芯片和所述非易失性存储芯片至少之一中被读取；所述易失性存储芯片包括第一存储阵列和第二存储阵列，所述通信协议电路通过第一三维异质集成结构与所述第一存储阵列电连接，所述逻辑电路通过第二三维异质集成结构与所述第二存储阵列电连接；所述通信协议电路的正投影落入所述第一存储阵列正投影的范围内，所述逻辑电路的正投影落入所述第二存储阵列正投影的范围内；所述逻辑电路包括固定逻辑电路和可编程逻辑电路中至少之一。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安紫光国芯半导体有限公司 非易失三维存储单元、存储方法、芯片组件和电子设备

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