申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

申请日：2021-01-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114823966B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0296

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明揭示了一种硫化镉半导体薄膜的界面优化方法及其应用。所述硫化镉半导体薄膜的界面优化方法，包括：将硫化镉半导体薄膜充分浸润于含亚硫酸根离子的溶液中，之后进行热处理，或者，先对所述硫化镉半导体薄膜进行热处理，之后再充分浸润于含亚硫酸根离子的溶液中；以及，将所获硫化镉半导体薄膜于含亚硫酸根离子的溶液中进行光电氧化处理，获得界面优化后的硫化镉半导体薄膜。本发明提供的硫化镉半导体薄膜的界面优化方法，可有效的消除硫化镉半导体薄膜表面上的缺陷及杂相，所得到的硫化镉半导体薄膜具有合适的厚度和理想的表面，因此可获得最佳的光电性能。

主权项：1.一种硫化镉半导体薄膜的界面优化方法，其特征在于，包括：将硫化镉半导体薄膜充分浸润于含亚硫酸根离子的溶液中，之后进行热处理，或者，先对所述硫化镉半导体薄膜进行热处理，之后再充分浸润于含亚硫酸根离子的溶液中；以及，将所获硫化镉半导体薄膜于含亚硫酸根离子的溶液中进行光电氧化处理，获得界面优化后的硫化镉半导体薄膜；其中，所述含亚硫酸根离子的溶液中亚硫酸根离子的浓度为0.01～1molL，所述硫化镉半导体薄膜于含亚硫酸根离子的溶液中的浸润时间为30～1440min；所述热处理是在保护性气氛或空气气氛中进行的，热处的理温度为100～500℃、时间为2～120min；所述光电氧化采用的光源选自紫外光、可见光、模拟太阳光中的至少任一种，采用的氧化电位为-0.7V~0.7V。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种硫化镉半导体薄膜的界面优化方法及其应用

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