申请/专利权人：SK恩普士有限公司;爱思开海力士有限公司

申请日：2022-07-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN115595068B

主分类号：C09G1/02

分类号：C09G1/02;H01L21/3105

优先权：["20210708 KR 10-2021-0089817"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.07.28#著录事项变更;2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本实施例提供一种容易形成微细电路图案，并且使缺陷和划痕的发生最小化了的半导体工艺用抛光组合物及利用其进行抛光的物品的制备方法。本实施例提供一种半导体工艺用抛光组合物，其中，相对于整体平均粒径D50具有特定大小的粒径的组的吸光度比例与具有大于整体平均粒径D50的0.5倍且为整体平均粒径D50的2.5倍以下的粒径的组的吸光度的比例，为规定的比例以下。

主权项：1.一种半导体工艺用抛光组合物，其中，所述半导体工艺用抛光组合物包含2重量％以上且20重量％以下的抛光粒子，所述抛光粒子具有整体平均粒径，所述抛光粒子包括平均粒径不同的多个抛光粒子组，第一抛光粒子组是具有大于所述整体平均粒径的22.5倍且为所述整体平均粒径的125倍以下的粒径的组，第二抛光粒子组是具有大于所述整体平均粒径的0.5倍且为所述整体平均粒径的2.5倍以下的粒径的组，吸光度由以下式1定义，所述第一抛光粒子组的吸光度A1和所述第二抛光粒子组的吸光度A2的比例、即A1A2为1.5以下，[式1]吸光度＝logI0I1在上述式1中，I0是在向通过对所述半导体工艺用抛光组合物进行离心分离来形成粒度梯度的液相照射385nm至425nm波长中的至少一种波长的光时的光量，I1是照射的所述光透过所述液相的光量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： SK恩普士有限公司;爱思开海力士有限公司 半导体工艺用抛光组合物及抛光物品的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD