申请/专利权人：上海格州微电子技术有限公司

申请日：2023-06-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116913970B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;G01R31/26;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要：本发明公开一种提供过内阻检测的mosfet及mosfet的制造方法，涉及晶体管结构及制造方法领域，解决的是传统mosfet因漏电流和漏电阻变化影响器件的正确性和可靠性的问题；一种提供过内阻检测的mosfet，包含源区、栅极、栅氧层、底接区、硅基底片、漏结区和驱动电路；一种mosfet的制造方法包括选取硅片、生长氧化层、沉积金属、图案化处理、离子注入、退火、形成mosfet栅极和连接mosfet；本发明通过设置驱动电路对mosfet进行过内阻检测，提高mosfet的可靠性和使用寿命；本发明采用反向电压变化矩阵确认mosfet内阻的变化情况；本发明采用掩模图形传递和化学反应控制技术进行光刻机曝光和显影处理以确保mosfet的质量和精度。

主权项：1.一种提供过内阻检测的mosfet，包含：源区（1）、栅极（2）、栅氧层（3）和底接区（4）；其中：源区（1），用于为电子进入mosfet提供管道；栅极（2），用于接入电信号以控制mosfet中的电流流动；栅氧层（3），用于隔离栅极（2）和硅基底片（5）；底接区（4），用于接地的区域；其特征在于：所述提供过内阻检测的mosfet还包括：硅基底片（5）、漏结区（6）和驱动电路（7）；硅基底片（5），用于为其他器件提供支撑、分担电流负载及电气隔离；所述硅基底片作为modfet的支撑结构为其他器件的生长和制造提供基础；所述硅基底片由单晶硅制成，通过掺入硼元素产生P型硅，掺入磷元素产生N型硅，进而起到分担电流的负载作用；所述硅基底片通过隔离mosfet内部电路和其他器件之间的电气信号，避免电气噪声和干扰；漏结区（6），用于形成mosfet的输出端；所述漏结区（6）由若干硅组成，硅的掺杂浓度和分布影响所述漏结区（6）的电特性，所述漏结区（6）将从源区（1）输入的带有控制信号的电流转化为从漏结区（6）输出的信号电流，为后续电路或负载提供信号输入；驱动电路（7），用于mosfet实现其原有功能的同时在工作过程中提供过内阻检测功能，提高mosfet的可靠性和使用寿命；所述驱动电路为反并联的驱动电路，分别带有反向的电压，通过检测反向电压的变化判断mosfet的内阻状况；所述源区（1）连接所述漏结区（6），所述栅氧层（3）位于所述栅极（2）与硅基底片（5）之间，所述底接区（4）接地，所述硅基底片（5）安装在各器件下方，所述栅极（2）的两侧设置有驱动电路（7）。

全文数据：

权利要求：

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