申请/专利权人：上海铭锟半导体有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117476800B

主分类号：H01L31/105

分类号：H01L31/105;H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本发明涉及半导体制造领域，提供了硅基光电探测器及制备方法，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围，外延层可以是硅、锗或硅锗合金的一种或者叠层，或根据需要掺入碳、锡、铅等杂质；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面。本发明可以有效反射未被吸收层完全吸收的入射光加以回收利用，能够增加探测器的响应度和灵敏度；通过金属层连接固定电位来控制硅层悬浮区域的电位，减少了对探测器行为的干扰。

主权项：1.硅基光电探测器，其特征在于，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；所述第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；所述外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面；所述衬底为绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底的硅衬底-埋氧层-顶硅层构成MOS结构，顶硅层形成悬浮的P型硅层；所述金属层连接到零电位或其他非零的固定电位，使硅衬底也连接至零电位或非零固定电位，硅衬底外接的固定电位通过MOS结构控制使得悬浮的P型硅层电位具有确定性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海铭锟半导体有限公司 硅基光电探测器及其制备方法

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