申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2016-09-23

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111599692B

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31

优先权：["20150925 US 14/866,050"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.09.22#实质审查的生效;2020.08.28#公开

摘要：提供了一种具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架均包括芯片焊盘、远离所述芯片焊盘延伸的多个引线以及分界出所述引线的外部部分和所述引线的内部部分的外围环。将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内。所述芯片焊盘和所述引线的所述内部部分设置在所述封装体轮廓区域内，所述引线的所述外部部分设置在所述封装体轮廓区域之外。处理线结合部位，使得在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后，所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料。所述线结合部位设置在所述封装体轮廓区域内并且与所述外围环间隔开。

主权项：1.一种形成封装的半导体器件的方法，包括：提供具有多个单元引线框架的引线框架条，每个单元引线框架均包括芯片焊盘和远离所述芯片焊盘延伸的多个引线；使用增粘剂镀覆材料在所述多个单元引线框架中的第一单元引线框架的封装体轮廓区域内镀覆所述第一单元引线框架，所述封装体轮廓区域包括芯片焊盘中的一个和所述引线的内部部分；以及在镀覆所述第一单元引线框架之前处理所述第一单元引线框架中的线结合部位，使得在镀覆所述第一单元引线框架之后，所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料，其中，所述线结合部位在所述封装体轮廓区域内设置在所述引线的内部部分与芯片焊盘最近的端部处，其中，处理所述线结合部位包括以下中的至少一种：化学处理所述线结合部位，以防止所述增粘剂镀覆材料在镀覆第一单元引线框架期间形成在所述线结合部位上；施加抗腐蚀涂层至所述第一单元引线框架，其中，所述抗腐蚀涂层防止所述增粘剂镀覆材料在镀覆第一单元引线框架期间形成在所述线结合部位上；和在所述线结合部位之上施加胶带，所述胶带防止所述增粘剂镀覆材料在镀覆第一单元引线框架期间形成在所述线结合部位上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 直接的选择性增粘剂镀覆

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