申请/专利权人：中环新能(安徽)先进电池制造有限公司

申请日：2023-08-16

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220753445U

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池正面结构及N型钝化接触太阳能电池；所述正面结构覆盖于硅基体的正面，正面结构内穿设有多个上金属电极，正面结构包括：第一氮化硅层、氧化铝层和多个选择性硼掺杂的p+发射极，氧化铝层设于硅基体的正面，氧化铝层和硅基体之间设有多个选择性硼掺杂的p+发射极，多个选择性硼掺杂的p+发射极间隔设置在硅基体的正面，第一氮化硅层设于氧化铝层的正面；上金属电极穿透第一氮化硅层和氧化铝层并与选择性硼掺杂的p+发射极形成欧姆接触；硅基体的厚度≤160μm；该正面结构可以在不影响太阳能电池正常工作的前提下降低p+发射极表面的负荷电流密度，并提升太阳能电池的效率。

主权项：1.一种太阳能电池正面结构，所述正面结构覆盖于硅基体1的正面，所述正面结构内穿设有多个上金属电极101，其特征在于，所述正面结构包括：第一氮化硅层9、氧化铝层8和多个选择性硼掺杂的p+发射极5，所述氧化铝层8设于所述硅基体1的正面，所述氧化铝层8和所述硅基体1之间设有多个所述选择性硼掺杂的p+发射极5，多个所述选择性硼掺杂的p+发射极5间隔设置在所述硅基体1的正面，所述第一氮化硅层9设于所述氧化铝层8的正面；所述上金属电极101穿透所述第一氮化硅层9和所述氧化铝层8并与所述选择性硼掺杂的p+发射极5形成欧姆接触；所述硅基体1的厚度≤160μm。

全文数据：

权利要求：

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