申请/专利权人：新一新能源科技(衢州)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832310A

主分类号：H01L31/068

分类号：H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种Topcon太阳能电池，包括硅片基底和背电极，所述硅片基底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上位于所述背电极的对应区域设有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上设置所述背电极，所述隧穿氧化层上除所述背电极的对应区域外设有钝化层。本发明公开了一种Topcon太阳能电池的制备方法，在硅片基底的背面的隧穿氧化层上沉积掺杂非晶硅层后，通过热处理形成多晶硅区域，再用蚀刻剂选择性蚀刻非晶硅保留多晶硅形成掺杂多晶硅层。本发明能够降低入射光的寄生吸收，增强光线的利用，改善钝化效果，提高电池的短路电流和开路电压，提高电池光电转换效率。

主权项：1.一种Topcon太阳能电池，包括硅片基底和背电极，所述硅片基底的背面设有隧穿氧化层，其特征在于，所述隧穿氧化层上位于所述背电极的对应区域设有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上设置所述背电极，所述隧穿氧化层上除所述背电极的对应区域外设有钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新一新能源科技(衢州)有限公司 一种Topcon太阳能电池及其制备方法

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