申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117830721A

主分类号：G06V10/764

分类号：G06V10/764;G06V10/774;G06V10/82;G06V20/70;G06N3/0464;G06N3/0985

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了直拉硅单晶放肩阶段晶棱线分叉检测方法，首先实时获得晶体生长过程中放肩阶段图像，得到原始图像数据集，之后，按照晶棱线分叉和未分叉设定标签，得到标定好的图像数据集；然后对图像数据集进行预处理，之后划分标定好的图像数据集，使用残差网络对图像进行分类训练，得到在放肩一定直径时即介于引晶直径到等径目标直径之间时晶棱线是否分叉的辨识模型；最后将识别到的晶棱线分叉时刻与工艺预设的容错开叉时间带相对比，间接判断出设定的初始温度是否准确。本发明解决了现有技术中存在的人工识别晶棱线分叉不精确的问题，进而准确判定系统初始温度设定是否精确，保障晶体进入等径生长阶段中工艺参数的批量重复性。

主权项：1.直拉硅单晶放肩阶段晶棱线分叉检测方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、实时获得晶体生长过程中放肩阶段图像，得到原始图像数据集，之后，按照晶棱线分叉和未分叉设定标签，得到标定好的图像数据集；步骤2、对所述步骤1得到的图像数据集进行预处理，之后划分标定好的图像数据集，使用残差网络对图像进行分类训练，得到在放肩一定直径时即介于引晶直径到等径目标直径之间时晶棱线是否分叉的辨识模型；步骤3、在放肩到达一定直径附近，实时采集现场的图像数据，送入所述步骤2预训练好的分叉辨识模型，判断此时晶棱线是否开叉；步骤4、将识别到的晶棱线分叉时刻与工艺预设的容错开叉时间带相对比，间接判断出设定的初始温度是否准确。

全文数据：

权利要求：

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