申请/专利权人：小华半导体有限公司

申请日：2022-09-27

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117827686A

主分类号：G06F12/02

分类号：G06F12/02;G06F12/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种实现RAM存储器跨区访问的方法，实时检测D总线数据访问动作的访问字的首字节地址及访问字大小；当访问字大小是16位时，如果访问字的首字节地址是0x1FFF_FFFF，则对地址是0x1FFF_FFFF的字节进行D总线数据访问，同时对D总线出现的地址是0x0000_0000的字节的D总线数据访问自动映射为对片上SRAM区的地址0x2000_0000的寄存器的S总线数据访问，对D总线出现的其他地址的字节进行D总线数据访问，否则对字节地址是0x0000_0000～0x1FFF_FFFE的字节进行D总线数据访问。本发明的能在ARM地址空间分配下配置在代码区的RAM跨区访问，实现片上SRAM区空间的最大化，对于片上SRAM区上的动态分配更加自由。

主权项：1.一种实现RAM存储器跨区访问的方法，RAM存储器包括代码区、片上SRAM区；代码区的地址为0x0000_0000～0x1FFF_FFFF，访问数据使用D总线；片上SRAM区的地址为0x2000_0000～0x3FFF_FFFF，访问数据使用S总线；每一字节为8位，其特征在于，包括以下步骤：S1.实时检测D总线数据访问动作的访问字的首字节地址及访问字大小；S2.当访问字大小是16位时，进行步骤S3；S3.如果访问字的首字节地址是0x1FFF_FFFF，则进行步骤S4；否则进行步骤S14；S4.对地址是0x1FFF_FFFF的字节进行D总线数据访问，同时对D总线出现的地址是0x0000_0000的字节的D总线数据访问自动映射为对片上SRAM区的地址0x2000_0000的寄存器的S总线数据访问，对D总线出现的其他地址的字节进行D总线数据访问；然后进行步骤S15；S14.对字节地址是0x0000_0000～0x1FFF_FFFE的字节进行D总线数据访问，然后进行步骤S15；S15.该次D总线数据访问动作结束。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 小华半导体有限公司 实现RAM跨区访问的方法

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