申请/专利权人：宜宾英发德耀科技有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832328A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/075;H01L31/0288

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本申请涉及光伏技术领域，提出了一种高钝化质量的n型TOPCon电池的制备方法，包括如下步骤：将N型硅晶片用混合溶液1浸泡后，冷却后用去离子水漂洗后晾干；将硅晶片处理后，得到氢化本征非晶硅层；在硅晶片的双面形成隧穿氧化层；在硅晶片正面形成第一poly层；将硅晶片沉积处理后，在硅晶片正面得到含碳的隧穿氧化硅层；将硅晶片正面沉积并退火处理后，在硅晶片正面得到轻掺含磷poly硅层；将硅晶片正面通入混合气体3，沉积并退火处理后，在硅晶片正面得到重掺含磷含碳poly硅层；在硅晶片反面得到含磷的多晶硅层；在硅晶片反面得到氧化铝钝化层；在硅晶片双面均得到氮化硅钝化层。此电池具有钝化质量好、转换效率高的优点。

主权项：1.一种高钝化质量的n型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将N型硅晶片用混合溶液1浸泡后，冷却后用去离子水漂洗后晾干；S2、将步骤S1所得的硅晶片背面溅射处理后，得到氢化本征非晶硅层；S3、将步骤S2所得的硅晶片放入氢氟酸溶液中浸泡，再用去离子水漂洗后，再高温处理后，在硅晶片的双面形成隧穿氧化层；S4、将步骤S3所得的硅晶片正面退火后，在硅晶片正面形成第一poly层；S5、将步骤S4所得的硅晶片正面预热后，再降压通入混合气体1，沉积处理后，在硅晶片正面得到含碳的隧穿氧化硅层；S6、将步骤S5所得的硅晶片正面通入混合气体2，沉积并退火处理后，在硅晶片正面得到轻掺含磷poly硅层；S7、将步骤S6所得的硅晶片正面通入混合气体3，沉积并退火处理后，在硅晶片正面得到重掺含磷含碳poly硅层；S8、将步骤S7所得的硅晶片反面通入混合气体4，沉积并退火处理后，在硅晶片反面得到含磷的多晶硅层；S9、将步骤S8所得的硅晶片反面以三甲基铝和水作为前驱体，沉积并退火处理后，在硅晶片反面得到氧化铝钝化层；S10、将步骤S9所得的硅晶片双面通入混合气体5，沉积并退火处理后，在硅晶片双面均得到氮化硅钝化层。

全文数据：

权利要求：

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