申请/专利权人：佛山市中山大学研究院;中山大学

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117821928A

主分类号：C23C16/18

分类号：C23C16/18;C23C16/455;C23C16/46

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种MOCVD半导体外延设备的喷淋匀气结构，喷淋腔内设置有第一腔体和第二腔体，第一腔体上设置有多个Ⅱ、III族气体喷管，第一腔体与Ⅱ、III族进气管连接，且第一腔体与Ⅱ、III族进气管垂直，Ⅱ、III族气体喷管下端面向衬底上表面，第二腔体上设置有多个Ⅵ、Ⅴ族气体喷管，第二腔体与Ⅵ、Ⅴ族进气管连接，且第二腔体与Ⅵ、Ⅴ族进气管垂直，Ⅵ、Ⅴ族气体喷管下端面向衬底上表面，Ⅱ、III族气体喷管和Ⅵ、Ⅴ族气体喷管下端齐平，且交替布置。本发明第一、第二腔体底部布满出气管道，保证了喷出气体流速均匀，形成稳定可控的边界条件，管道口遍布衬底，保证气体喷到整个衬底，在衬底四周反应，保证外延片上生成的薄膜厚度均匀，质量好。

主权项：1.一种MOCVD半导体外延设备的喷淋匀气结构，包括喷淋腔1、Ⅱ、III族进气管2、Ⅵ、V族进气管3、加热器5和衬底6，所述的加热器5安装在喷淋腔1内，用于对衬底6附近空气加热，使衬底6保持在高温氛围中，衬底6安装在喷淋腔1中，待生长基板置于衬底6上表面，所述的Ⅱ、III族进气管2和Ⅵ、V族进气管3接入喷淋腔1，Ⅱ、III族进气管2和Ⅵ、V族进气管3分别能向待生长基板喷出Ⅱ、III族气体和Ⅵ、V族气体，气体在待生长基板表面生长沉积层，其特征是：所述的喷淋腔1内设置有第一腔体7和第二腔体9，所述的第一腔体7上设置有多个Ⅱ、III族气体喷管8，所述的第一腔体7与Ⅱ、III族进气管2连接，且第一腔体7与Ⅱ、III族进气管2垂直，Ⅱ、III族气体喷管8下端面向衬底6上表面，所述的第二腔体9上设置有多个Ⅵ、V族气体喷管10，所述的第二腔体9与Ⅵ、V族进气管3连接，且第二腔体9与Ⅵ、V族进气管3垂直，Ⅵ、V族气体喷管10下端面向衬底6上表面，所述的Ⅱ、III族气体喷管8和Ⅵ、V族气体喷管10下端齐平，且交替布置。

全文数据：

权利要求：

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