申请/专利权人：宜宾英发德耀科技有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832329A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0288

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本申请涉及光伏技术领域，提出了一种高效TOPCon电池的制备方法，包括如下步骤：对硅片进行制绒，制绒后的硅片进行清洗并烘干；将炉管抽真空，再将硅片放入炉管内烘烤，对炉管检漏，在炉管无泄漏时，向硅片正面丝网印刷硼扩散浆料并送入炉管烘烤，再进行热扩散，形成硼扩散面；将硅片背面和四边用氢氟酸溶液清洗；将硅片抛光，再在硅片背面制备SiO2隧穿氧化层和多晶硅层；将硅片置于炉管中，进行磷扩散；将硅片正面用浓度用氢氟酸溶液清洗，再用NaOH溶液清洗清洗正面多晶硅绕度，在硅片双面沉积氧化铝薄膜和减反射膜；将硅片丝网印刷、烧结和电注入激活。此方法具有可以起到提高电池转换效率和降低工艺流程时间的效果。

主权项：1.一种高效TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、对硅片进行制绒，制绒后的硅片进行清洗并烘干；S2、将炉管抽真空，再将步骤S1所得硅片放入炉管内烘烤，对炉管检漏，在炉管无泄漏时，向硅片正面丝网印刷硼扩散浆料并送入炉管烘烤，再进行热扩散，形成硼扩散面；S3、将步骤S2所得硅片背面和四边用氢氟酸溶液清洗；S4、将步骤S3所得硅片抛光，再在硅片背面制备SiO2隧穿氧化层和多晶硅层；S5、将步骤S4所得硅片置于炉管中，进行磷扩散；S6、将步骤S5所得硅片正面用浓度用氢氟酸溶液清洗，再用NaOH溶液清洗清洗正面多晶硅绕度，在硅片双面沉积氧化铝薄膜和减反射膜；S7、将步骤S6所得硅片丝网印刷、烧结和电注入激活。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宜宾英发德耀科技有限公司 一种高效TOPCon电池的制备方法

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