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【发明公布】一种反应烧结碳化硅的连接方法、RB-SiC连接件_哈尔滨工业大学;哈尔滨邦定科技有限责任公司_202410098049.9 

申请/专利权人:哈尔滨工业大学;哈尔滨邦定科技有限责任公司

申请日:2024-01-23

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN117817066A

主分类号:B23K1/00

分类号:B23K1/00;B23K1/20;B23K35/24

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要:本发明涉及焊接技术领域,具体而言,涉及一种反应烧结碳化硅的连接方法、RB‑SiC连接件;该方法包括:以硅和金属钇为原料进行熔炼,得到Si‑Y钎料铸锭;将所述Si‑Y钎料铸锭加工成Si‑Y钎料粉末,使用所述Si‑Y钎料粉末和有机粘结剂配制焊膏;将所述焊膏涂覆于反应烧结碳化硅的待连接面上形成焊膏层,得到连接预制件;将两个所述连接预制件的焊膏层贴合在一起,得到连接预制组件;在真空条件下,将所述连接预制组件升温至1300‑1350℃烧结得到反应烧结碳化硅连接件。采用本发明的方法,可以避免RB‑SiC母材力学性能的恶化,制得的RB‑SiC连接件具有较高的连接强度。

主权项:1.一种反应烧结碳化硅的连接方法,其特征在于,包括:步骤S1、以硅和金属钇为原料进行熔炼,得到Si-Y钎料铸锭;步骤S2、将所述Si-Y钎料铸锭加工成Si-Y钎料粉末,使用所述Si-Y钎料粉末和有机粘结剂配制焊膏;步骤S3、将所述焊膏涂覆于反应烧结碳化硅的待连接面上形成焊膏层,得到连接预制件;步骤S4、将两个所述连接预制件的焊膏层贴合在一起,得到连接预制组件;步骤S5、在真空条件下,将所述连接预制组件升温至1300-1350℃,在1300-1350℃下烧结处理,得到反应烧结碳化硅连接件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈尔滨工业大学;哈尔滨邦定科技有限责任公司 一种反应烧结碳化硅的连接方法、RB-SiC连接件

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