申请/专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832081A

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/868;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供的一种引入表面正电荷的斜面终端PIN二极管及其制备方法，采用退火叠加高电场或总剂量辐射的方法，在斜面终端结构PIN二极管中引入界面正电荷。在器件反向工作时起到类似斜面JTE的耗尽区扩展作用，从而在不改变器件结构的情况下，提升了器件阻断电压。

主权项：1.一种引入表面正电荷的斜面终端PIN二极管的制备方法，其特征在于，包括：S100，获取N型衬底；S200，在所述N型衬底表面外延生长N-外延层；S300，所述N-外延层上外延生长P区外延层；所述N-外延层和所述N型衬底形成梯形台面；S400，在梯形台面上形成二氧化硅层，以使所述二氧化硅层覆盖在所述梯形台面以及所述N型衬底上，并作退火处理；S500，在所述二氧化硅层上沉积铝金属，并将沉积完铝金属得到的器件放置在辐射环境中以在在二氧化硅和碳化硅界面处引入额外正电荷；S600，清洗掉所述二氧化硅表面的铝金属，并刻蚀开孔形成欧姆接触得到引入表面正电荷的斜面终端PIN二极管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西电芜湖研究院有限责任公司 引入表面正电荷的斜面终端PIN二极管及其制备方法

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