申请/专利权人：厦门大学;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832262A

主分类号：H01L29/43

分类号：H01L29/43;H01L21/44

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：一种不依赖图案化的自下而上构建石墨烯电极为基础的二维半导体器件，包括衬底、电极、二维材料纳米片和石墨烯纳米片；两个电极置于衬底上；二维材料纳米片位于衬底上，其位置与两个电极的连线位置交叉，且二维材料纳米片不与电极接触；石墨烯纳米片设有两片，其位于衬底上将电极和二维材料纳米片连接。本发明电子器件，其接触电阻下降可达80％以上，而且还具备不影响二维材料本身的电子性质的优点，进而在其他不同的二维材料中可以广泛推广。而且本发明的方法步骤简单，易于实现，无需在器件上进行二次电极的蒸镀，简化实验研究流程，还解决干法转移中的纳米片材料悬空的问题，从而有利于电子器件的背栅调控和FET特性分析的进一步研究。

主权项：1.一种不依赖图案化的自下而上构建石墨烯电极为基础的二维半导体器件，其特征在于：包括衬底、电极、二维材料纳米片和石墨烯纳米片；所述电极设有两个，其置于衬底上；所述二维材料纳米片位于衬底上，其位置与两个电极的连线位置交叉，且二维材料纳米片不与电极接触；所述石墨烯纳米片设有两片，其位于衬底上将电极和二维材料纳米片连接。

全文数据：

权利要求：

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