申请/专利权人：科大智能电气技术有限公司;科大智能科技股份有限公司

申请日：2020-06-19

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN111782142B

主分类号：G06F3/06

分类号：G06F3/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于分时处理的Flash存储方法，属于数据存储技术领域，包括：将Flash的存储操作状态流程划分三个状态即：空闲、数据载入、擦除。其中空闲状态时程序不做任何处理。数据载入状态包括地址判断、数据分段、擦除判断、发送擦除指令、数据写入等。擦除状态主要是循环判断当前Flash芯片擦除是否已完成。通过这种方法,可以有效地节约主程序的处理时间，保证主程序在处理其他任务功能的过程中，避免因Flash存储而占用较长的时间，从而保证整个系统能高效、快速的执行。

主权项：1.一种基于分时处理的Flash存储方法，其特征在于，Flash芯片的存储程序的执行状态划分为空闲状态、数据载入状态和擦除状态，主程序通过Flash操作程序调用接口与Flash芯片连接，包括：所述Flash芯片的存储程序接收所述主程序发送的调用指令及待载入数据；所述存储程序根据其当前的执行状态进行相应操作，其中空间状态时不做任何操作处理，数据载入状态时根据待载入数据的大小和地址进行数据写入，擦除状态时循环判断Flash芯片擦除是否完成；在所述存储程序当前的执行状态为数据载入状态时，所述存储程序根据其当前的执行状态进行相应操作，包括：a1根据所述待载入数据的地址和数据长度，判断目标地址范围是否在Flash分配的有效区间内，若否则执行步骤a2，若是则执行步骤a3；a2退出当前操作程序，返回地址操作错误，并进入空闲状态；a3根据所述待载入数据的地址和数据长度，计算所需编程的页的数量、页编程地址、页的数据偏移量以及每次页编程可写入的数据长度；a4判断页编程地址的首地址是否为块的起始地址，若是则执行步骤a5，若否则直接执行步骤a6；a5计算该地址所在块编号，向所述Flash芯片发送块擦除指令，并将所述Flash芯片的存储程序置为擦除状态；a6根据页编程地址和页的数据偏移量，向所述Flash芯片的目标页写入数据，并计算剩余数据长度及下次目标页编程的地址；a7判断剩余数据长度是否为零，若是则执行步骤a8，若否则执行步骤a4；a8将所述Flash芯片的存储程序置为空闲状态后退出所述存储程序。

全文数据：

权利要求：

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