申请/专利权人：成都理工大学

申请日：2022-12-26

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN115840243B

主分类号：G01T1/00

分类号：G01T1/00;G01T1/16;G06F17/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2023.04.11#实质审查的生效;2023.03.24#公开

摘要：本发明公开了Xγ射线探测器无源效率刻度的数值计算方法，包括如下步骤：步骤S1，确定放射源信息，步骤S2，确定探测器信息，步骤S3，将晶体网格化；步骤S4，计算入射光子逃逸概率；步骤S5，计算入射光子电子对效应产生的逃逸概率和一次散射光子逃逸概率；步骤S6，计算一次散射光子电子对效应产生的逃逸概率和二次散射光子逃逸概率；步骤S7，计算三次散射光子逃逸概率；步骤S8，计算全能峰效率。本发明提出的全能峰效率计算方法，可以对任意凸面体形状探测晶体的全能峰效率进行计算，没有探测晶体形状、尺寸、材质、密度等因素变化造成的计算局限性，为后期放射性核素研究与工程实践提供了一种可靠的新技术。

主权项：1.Xγ射线探测器无源效率刻度的数值计算方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1，确定放射源信息，包括放射源的形状、尺寸、材质、密度以及发射光子；步骤S2，确定探测器信息，包括探测器的外壳及晶体的形状、尺寸、材质以及密度；步骤S3，将晶体表面网格化，得到探测晶体表面的网格数据矩阵X,Y,Z、Xn,Yn,Zn；记录射线的入射方向和位置x0,y0,z0，并计算射线到达晶体的强度；步骤S4，对入射光子在晶体中的总截面进行计算；计算入射光子逃逸概率εe0，并记录入射光子发生反应的位置矩阵X1,Y1,Z1；位置矩阵X1,Y1,Z1既是第一次散射的位置矩阵，也是入射光子发生电子对效应的位置矩阵；步骤S5，根据晶体表面的网格数据矩阵和第一次散射的位置矩阵计算第二次散射光子到达表面微元的位移矩阵和距离矩阵L1、Lpa，并记录发生第二次散射的位置矩阵X2,Y2,Z2；第二次散射的位置矩阵X2,Y2,Z2也是第一次散射射线发生电子对效应的位置矩阵；步骤S6，根据晶体表面的网格数据矩阵和第二次散射的位置矩阵计算到达表面微元的位移矩阵和距离矩阵L2、Lc1pa，并记录发生第三次散射的位置矩阵X3,Y3,Z3；步骤S7，根据晶体表面的网格数据矩阵和第三次散射的位置矩阵计算第三次散射光子到达表面微元的位移矩阵和距离矩阵L3,并计算第三次散射光子逃逸概率；步骤S8，根据步骤S3至步骤S7得到的各光子逃逸概率，计算得到全能峰效率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都理工大学 X/γ射线探测器无源效率刻度的数值计算方法

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