申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

申请日：2021-11-11

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN114924347B

主分类号：G02B6/12

分类号：G02B6/12;G02B6/122

优先权：["20210211 US 17/173,639"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.09.06#实质审查的生效;2022.08.19#公开

摘要：本申请涉及位于光子芯片的后端工艺堆叠中的超材料边缘耦合器，揭示了边缘耦合器的结构以及形成边缘耦合器的结构的方法。该结构包括位于介电层上方的波导芯，以及位于该波导芯及该介电层上方的后端工艺堆叠。该后端工艺堆叠包括层间介电层、侧边、第一特征、第二特征、以及横向布置于该第一特征与该第二特征间的第三特征。该第一特征、该第二特征、以及该第三特征邻近该侧边定位于该层间介电层上，且该第三特征与该波导芯的锥形区段具有重叠关系。

主权项：1.一种边缘耦合器的结构，该结构包括：介电层；波导芯，位于该介电层上方，该波导芯包括锥形区段；以及后端工艺堆叠，位于该波导芯及该介电层上方，该后端工艺堆叠包括第一层间介电层、侧边、第一特征、第二特征、以及横向布置于该第一特征与该第二特征间的第三特征，该第一特征、该第二特征，以及该第三特征邻近该侧边而定位于该第一层间介电层上，且该第一特征、该第二特征及该第三特征中各者由第一端部表面及第二端部表面终止于其相对的端部，其中，该第三特征与该波导芯的该锥形区段具有重叠关系，其中，该后端工艺堆叠包括第二层间介电层、第四特征及第五特征，该第四特征及该第五特征邻近该侧边定位于该第二层间介电层中，且该第四特征由該第五特征覆盖，该第五特征由具有与组成该第四特征的介电材料不同的成分的介电材料组成，以提供异质堆叠。

全文数据：

权利要求：

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