申请/专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所

申请日：2022-04-29

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN114740934B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.07.29#实质审查的生效;2022.07.12#公开

摘要：本发明公开了一种大驱动均衡式LDO电路，包括：初始电压快速建立模块、电压调节反馈回路以及功率组合模块；其中，功率组合模块由功率NMOS管、开关PMOS管和驱动NMOS管串联组成，开关PMOS管的源端连接功率NMOS管的源端，开关PMOS管的源端和漏端分别提供大驱动均衡式LDO的输出电压；初始电压快速建立模块，用于驱动功率NMOS管，通过连接电压调节反馈回路输出稳定电压；电压调节反馈回路，用于比较大驱动均衡式LDO的输出电压与基准电压，调节功率NMOS管的栅端电压。本发明LDO电路可以为不同电路模块提供均衡式稳定电压，实现驱动大电流，负载均衡，同时减少芯片子模块之间电源相互影响。

主权项：1.一种大驱动均衡式LDO电路，其特征在于：包括：初始电压快速建立模块、电压调节反馈回路以及功率组合模块；其中，功率组合模块由功率NMOS管N1、开关PMOS管P1和驱动NMOS管N2依次串联组成，开关PMOS管P1的源端连接功率NMOS管N1的源端，开关PMOS管P1的源端和漏端分别提供大驱动均衡式LDO的输出电压Vout1和Vout2；初始电压快速建立模块，用于驱动功率NMOS管N1的栅端电压，通过连接所述电压调节反馈回路从而输出稳定电压值；电压调节反馈回路，用于比较大驱动均衡式LDO的输出电压Vout1与基准电压Vref的数值，从而调节功率NMOS管N1的栅端电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 一种大驱动均衡式LDO电路

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