申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117908611A

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于LDO的BJT输入级的基极电流补偿电路，包括基极电流采样电路、电流运算电路。所述基极电流采样电路包括BJT采样电路与钳位电路，其输入端连接LDO的输出端VOUT，输出端连接电流运算电路的输入端，用于产生与LDO的BJT输入级基极电流相关的电流；电流运算电路换算得到与LDO的BJT输入级基极电流大小精确相等的补偿电流，并通过VCO端输出。本发明针对使用BJT输入级的低噪声LDO，提出了一种基极电流补偿电路，在不影响LDO噪声性能的同时，消除了的基极电流对基准电压的影响，提高了LDO输出电压的精度。

主权项：1.一种用于LDO的BJT输入级的基极电流补偿电路，包括基极电流采样电路和电流运算电路，基极电流采样电路的输入端连接LDO的输出端VOUT，输出端连接电流运算电路的输入端；所述基极电流采样电路，包括BJT采样电路和钳位电路，其中，BJT采样电路与LDO的BJT输入级相匹配，钳位电路将BJT采样电路的输出端VB与VOUT钳位至同一电平，从而得到与BJT输入级基极电流成设定比例的精确电流；所述电流运算电路用于对基极电流采样电路输出的电流进行比例运算，得到与BJT输入级基极电流大小相等的补偿电流，电流运算电路的输出端VCO将得到的补偿电流输出到LDO中的基准电流源；所述的基极电流补偿电路包括第三电阻R3、第三三极管Q3、运算放大器AMP、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第二电流源IB2、第三电流源IB3、第四电流源IB4和第五电流源IB5；第三电阻R3的上端连接电源VDD，其下端连接第三三极管Q3的集电极；第三三极管Q3的基极连接运算放大器AMP的正相输入端、第三MOS管M3的漏极、第三电流源IB3的上端，第三三极管Q3的其发射极连接第二电流源IB2的上端；运算放大器AMP的反相输入端连接LDO输出端VOUT，运算放大器AMP的输出端连接第三MOS管M3的栅极；第一MOS管M1的栅极与漏极短接并连接第三MOS管M3的源极、第四MOS管M4的源极、第二MOS管M2的栅极，第一MOS管M1的源级连接电源VDD；第二MOS管M2的源极连接电源VDD，其漏极连接第五MOS管M5的源极、第六MOS管M6的源极；第四MOS管M4的栅极连接第五MOS管M5的栅极和漏极、第五电流源IB5的上端，第四MOS管M4的漏极连接第六MOS管M6的栅极、第四电流源IB4的上端；第六MOS管M6的漏极连接第七MOS管M7的栅极和漏极、第八MOS管M8的栅极；第七MOS管M7的源极连接地GND；第八MOS管M8的源极连接地GND，其漏极连接第九MOS管M9的栅极和漏极、第十MOS管M10的栅极；第九MOS管M9的源极连接电源VDD；第十MOS管M10的源极连接电源VDD，其漏极为基极电流补偿电路的输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种用于LDO的BJT输入级的基极电流补偿电路

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