申请/专利权人：恩智浦美国有限公司

申请日：2023-08-18

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672844A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/737;H01L29/165

优先权：["20220906 US 17/929,877"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本公开涉及用于形成具有导电掺杂基极结构的晶体管的方法。一种用于形成具有发射极、本征基极和集电极的晶体管的方法。所述基极包括掺杂有导电掺杂剂的半导体层以提供到所述本征基极的较低电阻率路径。在衬底上方形成层之后，在所述层中形成发射极窗口。通过沉积工艺通过所述开口形成所述半导体层。然后，去除所述半导体层的一部分。形成发射极，所述发射极包括位于所述开口中的至少一部分。所述半导体层的剩余部分在到所述本征基极的导电路径中。

主权项：1.一种用于形成晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：形成晶体管的集电极；形成所述晶体管的本征基极；在衬底上方形成第一层；在所述第一层中形成第一开口；在所述形成所述第一开口之后形成掺杂有导电掺杂剂的第一半导体层，其中所述形成所述第一半导体层包括在形成所述第一开口之后通过材料沉积工艺通过所述第一开口在表面上沉积半导体材料；在形成所述第一半导体层之后去除所述第一半导体层的第一部分，其中所述第一半导体层的至少第二部分在所述去除之后保留；在所述去除所述第一部分之后形成发射极，其中所述发射极包括位于所述第一开口中的至少一部分；其中所述第一半导体层的所述第二部分在到所述晶体管的所述本征基极的导电路径中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦美国有限公司 用于形成具有导电掺杂基极结构的晶体管的方法

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